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村田芯片
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GRT32ER61H475ME01L
產(chǎn)品參考圖片
GRT32ER61H475ME01L
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
陶瓷電容器,1210(3225 公制)
技術(shù)參數(shù):
CAP CER 4.7UF 50V 20% X5R 1210
(專注銷售電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號: GRT32ER61H475ME01L
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
功能總體簡述: CAP CER 4.7UF 50V 20% X5R 1210
系列: GRT
電容: 4.7μF
容差: ±20%
電壓 - 額定: 50V
溫度系數(shù): X5R
安裝類型: 表面貼裝,MLCC
工作溫度: -55°C ~ 85°C
應(yīng)用: 自動
等級: AEC-Q200
封裝/外殼: 1210(3225 公制)
大小/尺寸: 0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
高度 - 安裝(最大值): -
厚度(最大值): 0.106"(2.70mm)
引線間距: -
特性: -
引線形式: -
現(xiàn)在可以訂購
GRT32ER61H475ME01L
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
LQW04AN8N2C00D
CSTCR7M20G53-R0
LQG15WHR10J02D
LQH3NPN1R0MM0L
GRM1887U2A4R4CZ01D
GRM0335C1H8R0DD01D
CSTCV14M7X51Q-R0
DEHR33D821KB3B
GJM1555C1H3R0BB01D
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